princeps munditiae rotundae 99,95% Mo materialis 3N5 Molybdenum putris scopo vitreo coating & ornatum
Product parametri
Notam nomen | HSG Metal |
Exemplar Number | HSG-moly scopum |
Gradus | MO1 |
Punctum liquescens (℃) | 2617 |
Processing | Sintering / Forged |
Figura | Partes speciales figurae |
Materia | Purum molybdenum |
Compositio chemica | Mo:> = 99.95% |
Testimonium | ISO9001:2015 |
Standard | ASTM B386 |
Superficies | Clara et superficies terrae |
Density | 10.28g/cm3 |
Color | Metallic Luster |
Puritas | Mo:> = 99.95% |
Applicationem | PVD membrana membrana in vitreis industriae , ion plating |
Commodum | Maximum Temperature Resistentia, Alta Munditia, Melior Corrosio Repugnantia |
Vulgata dispositio infra describitur.Aliae magnitudinis et tolerantiae in promptu sunt.
Crassitudo | Maximilianus.Latitudo | Maximilianus.Longitudo |
.090" | 24" | 110" |
.125" | 24" | 80" |
.250" | 24" | 40" |
.500" | 24" | 24" |
>.500" | 24" |
Ad maiorem crassitudinem, bractea producta plerumque 40 chiliogrammata ad maximum pondus per piece.Molybdenum.
Crassitudo | 25" ad 6" | 6" ad 12" | 12" ad 24" |
.090" | ± .005" | ± .005" | ± .005" |
> .125 | ± 4% | ± 4% | ± 4% |
Molybdenum Plate Standard Latitudo Tolerantia
Crassitudo | 25" ad 6" | 6" ad 12" | 12" ad 24" |
.090" | ± .031" | ± .031" | ± .031" |
> .125 | ± .062" | ± 062" | ± 062" |
Nota
Sheet (0.13mm ≤thickness ≤ 4.75mm)
Plate ( crassitudine > 4.75mm )
Aliae rationes pertractari possunt.
Scopum Molybdenum materia industrialis est, late in vitro conductivo adhibito, STN/TN/TFT-LCD, vitrum opticum, ion efficiens ceterasque industrias.Apta est ad omnia plana efficiens et telas systemata efficiens.
Scopum molybdenum densitatem habet 10.2 g/cm3.Punctum liquescens 2610°C.Fervens est 5560°C.
Puritas molybdaeni scopo: 99,9%, 99,99%
Specifications: scopo rotundo, scopo, scopo, scopo rotato
Feature
Excellent conductivity of electricity ;
Resistentia caliditatis;
Altum punctum liquescens, altum oxidatio et resistentia exesa.
Applicationem
Late usus est ut electrodes vel wiring materia, in ambitu semiconductore integrato, tabula plana et fabricandis tabulis solaris et aliis agris.Eodem tempore productionem tungsten, scopum tantalum, scopum niobium, scopum aeris, dimensiones specificas productionis secundum mos requisita.